报告题目:硼氮配位键n-型共轭高分子和稠环分子
报告人:窦传冬(副研究员,中国科学院长春应用化学研究所)
报告时间:2018年12月13日(周四)下午16:00-17:00
报告地点:19号楼226学术报告厅
报告人简介:
窦传冬,1983年生,中国科学院长春应用化学研究所副研究员。2002−2011年在吉林大学化学学院获得学士和博士学位,2011−2013年在日本名古屋大学做博士后研究,2013年加入中科院长春应化所工作。获得中科院青年促进会会员(2017年)、国家优秀青年科学基金(2018年)。研究方向是含硼共轭分子/高分子的可控合成与功能调控,共以通讯/第一作者发表SCI论文20余篇,包括Angew. Chem. Int. Ed. 5篇,J. Am. Chem. Soc. 1篇,Adv. Mater. 1篇等,被引用800余次。
报告内容:
有机半导体材料是有机电子学的基础,相对比传输空穴的p-型,传输电子的n-型有机半导体的分子设计策略有限,其种类和数量都非常少,限制了有机电子学材料与器件的发展。我们基于有机硼化学的基础,从硼氮配位键降低π-共轭结构LUMO/HOMO能级的基本原理出发,提出采用硼氮配位键设计n-型有机高分子半导体材料的学术思想。我们开发了两种硼氮配位键 n-型共轭高分子,发展出能级结构可调、高电子迁移率的高分子电子受体材料,实现了全高分子太阳能电池器件效率超过9%。我们开发出硼氮配位键 n-型稠环芳烃,获得了可溶液加工的稠环结构电子传输材料,应用于有机场效应晶体管器件,取得了0.21 cm2 V−1 s−1的电子迁移率。这类“硼氮配位键n-型有机高分子半导体”为发展有机光电功能材料提供了设计新思想和材料新体系。